【专利号】：CN200910152441.2

【申请日】：2009.09.14

【授权公告日】： 2010.02.24 

【专利权人】：中国科学院宁波材料技术与工程研究所

【发明人】：吴爱国;曾乐勇

【摘要】：本发明涉及纳米材料或微纳器件的显微重复定位方法。本发明利用光刻 或电子束刻蚀技术，在基底边缘或微纳器件四周分别刻蚀出多重不同精度和 不同符号的坐标标记，通过记录样品或器件观察区域在某一方向上的坐标值 以及该区域与某一坐标线的距离或记录该区域在两个方向上的坐标值，可以 快速、准确地重新找到该区域，实现样品重新定位和微纳器件再加工。