项目简介

       本项目涉及一种钴基非晶巨磁阻抗效应汽车传感器产业化项目。基于钴基非晶软磁材料巨磁阻抗效应为基础开发的传感器具有高灵敏度、响应速度快、微型化、低功耗等优点，符合传感器的发展趋势，其性能远超过第一代霍尔传感器和第二代磁阻和巨磁阻传感器。基于巨磁阻抗效应的磁敏传感器比霍尔传感器测量精度更高，比磁通门传感器体积更小、功耗更低、响应频率更高，具有更好的综合性能。

       基于该效应开发的传感器可以部分替代用于汽车传感器的霍尔传感器，特别是高灵敏和快速响应应用领域，用于汽车发动机点火系统、防抱死制动系统(ABS)、汽车速度和位置传感器、发动机转速和曲轴角度传感器和变速器控制等。此外，基于巨磁阻抗效应开发的高灵敏传感器在探测微弱磁场和交变磁场，特别是在微弱磁场测量方面具有不可替代的优势，比如：工业自动化装置中的微位移测定，高速转子的转速测定，漏磁通的检测和电子磁罗盘等领域巨磁阻抗磁敏传感器具有很大的应用空间。

       高规格钴基非晶丝是获得显著巨磁阻抗效应的基础，本项目现能够小批量制备了多种规格的传感器芯体材料。在此基础上，经过热处理后获得了显著的纵向驱动和横向驱动巨磁阻抗效应。目前正在开展分辨率小于2nT，响应频率高于10kHz的高性能磁敏传感器的研制。2013年汽车传感器的市场规模约150亿美元，其中霍尔传感器市场规模约占20%，基于巨磁阻抗效应高灵敏传感器若能替代10%的霍尔传感器计算，市场规模超过3亿美元。巨磁阻抗磁敏传感器非晶丝芯体直径30um，主要成分为钴和铁，制造成本不高于霍尔传感器和磁阻传感器。

技术优势

       各类磁传感器性能比较

1、高灵敏和高频响应：传感器的磁场分辨率可达纳特量级，响应频率可达兆赫兹量级；

2.、微型化和低功耗：传感器芯体直径为几十微米，长度仅几个毫米，集成化的传感器芯片尺寸不超过8毫米，功耗在毫瓦量级；

3、器件再开发潜力大：以巨磁阻抗磁传感器为基础，结合其他磁电技术，在位置、转速和微弱磁场检测等领域具备应用前景。

项目联系人：卢光明  邮箱：luguangming@nimte.ac.cn  电话：0574-86685173