本实用新型公开了一种场效应晶体管及存储记忆体。所述场效应晶体管包括源极、漏极、沟道区、第一栅极和至少一第二栅极，所述源极与漏极之间经沟道区连接，所述第一栅极设置在沟道区上，且所述第一栅极与沟道区之间设置有介质层，所述至少一个第二栅极与所述沟道区配合形成用以存储电荷的结。

申请号：201820870458.6

中科院宁波材料所